中島瑞貴の編集

*** 略歴 [#i4bd3144]
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-生年月日　[[1994年:http://nendai-ryuukou.com/1990/1994.html]]
[[12月7日:https://www.weblio.jp/birthday/people/tltdb/1207]]&br;

-出身地　[[宮城県:http://www.pref.miyagi.jp/]]
[[岩沼市:https://www.city.iwanuma.miyagi.jp/]]&br;

-趣味　写真，サイクリング，スノーボード&br;

-特技　ソフトテニス，料理&br;

-好きな女性のタイプ   新川優愛&br;

-研究内容　ナノスケール観測装置における制御用電子回路の作製及び実機評価&br;
　　　　　AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスの断面構造観察&br;
パワー半導体デバイス・シミュレータの開発&br;

-通学時間　約10分&br;

&br;
***平成30年度 [#w59b46d7]

【後期】

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|3|BGCOLOR(LIGHTBLUE):SA&br; 学生&br; サポートセンター |BGCOLOR(LIGHTGREEN):TA&br;機電基盤実験実習  |  ||BGCOLOR(LIGHTBLUE):SA&br; 学生&br; サポートセンター  |  |
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***学歴 [#b86c34e7]
・2010年(平成22年)4月　宮城県工業高等学校　電子機械科　入学&br;
・2013年(平成25年)3月　宮城県工業高等学校　電子機械科　卒業&br;
・2013年(平成25年)4月　千葉工業大学　工学部　電気電子情報工学科　入学&br;
・2017年(平成29年)3月　千葉工業大学　工学部　電気電子情報工学科　卒業&br;
・2017年(平成29年)4月　千葉工業大学大学院　工学研究科　電気電子情報工学専攻　修士課程　入学&br;

***研究関連 [#k4faaf61]

【投稿論文】&br;
〔第1著者分〕&br;
+Nanoscale investigation of the silicon carbide double-diffused MOSFET with AFM / KFM / SCFM&br;
M. Nakajima, Y. Uchida, N. Satoh and H. Yamamoto Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 57, 08NB09 (2018) [[[URL:http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.57.08NB09]]]&br;
+Nanoscale investigation of the power MOSFET by the AFM/KFM/SCFM&br;
M. Nakajima, Y. Uchida, N. Satoh, and H. Yamamoto, The 2018 International Power Electronics Conference,  pp. 2750-2755 (2018)
[[[URL:https://ieeexplore.ieee.org/document/8507489]]]&br;

〔共著者分〕&br;
+Cross sectional observation in nanoscale for Si power MOSFET by
atomic force microscopy / Kelvin probe force microscopy /
scanning capacitance force microscopy&br;
A. Doi, M. Nakajima, S. Masuda, N. Satoh and H. Yamamoto, 【under review】

【国際学会発表】&br;
〔本人登壇分〕&br;
+Nanoscale investigation of the silicon carbide power MOSFET by scanning probe microscope,
M. Nakajima, A. Doi, Y. Uchida, M. Kojima, N. Satoh, A. Oda and H. Yamamoto, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)@Sendai, 22P043 (2018/10/22) &br;
+Nanoscale investigation of the power MOSFET by the AFM/KFM/SCFM,
M. Nakajima, Y. Uchida, N. Satoh, and H. Yamamoto, The 2018 International Power Electronics Conference (IPEC2018 )@Niigata, 23P7-2 (2018/05/23) &br;
+Nanoscale investigation of the power MOSFET by the AFM/KFM/SCFM,
M. Nakajima, Y. Uchida, N. Satoh, and H. Yamamoto, 25th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM25)@Atagawa, S4-70 (2017/12/07) &br;
+Nanoscale investigation of the power MOSFET by the AFM/KFM/SCFM,
M. Nakajima, Y. Uchida, N. Satoh, and H. Yamamoto, The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)@Tsukuba, 4PA-22 (2017/10/24)&br;

〔共同研究者分〕&br;
+Cross sectional observation in nanoscale for Si power MOSFET by AFM/KFM/SCFM, A. Doi, M. Nakajima, S. Masuda, N. Satoh and H. Yamamoto, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), 25C08 (2018/10/25)&br;
+Evaluation of SiC power device by multifunctional scanning probe microscope, Yuki Uchida, Mizuki Nakajima, Sho Masuda, Atsushi Doi, Keita Nakayama, Daiki Narikawa, Masato Ogino, Nobuo Satoh and Hidekazu Yamamoto, The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018, PC04 (2019/11/19)&br;

【国内学会発表】&br;
〔本人登壇分〕&br;
+走査型プローブ顕微鏡によるSiC power-MOSFETの構造観察とその解析，中島瑞貴，土井敦史，内田悠貴，小嶋正宏，佐藤宣夫，小田昭紀，山本秀和，平成31年電気学会全国大会@北海道科学大学
+走査型プローブ顕微鏡による SiC パワー MOSFET の構造観察とその解析，
中島瑞貴，土井敦史，内田悠貴，小嶋正宏，佐藤宣夫，小田昭紀，山本秀和，平成30年電気学会 産業応用部門大会＠横浜国立大学，Y-53 (2018/08/28).&br;
+AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスの断面構造観察， 中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和， 平成30年電気学会全国大会@九州大学，2107-A4-002（2018/03/14）.&br;
+AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスの断面構造観察， 中島瑞貴，内田悠貴，佐藤宣夫，山本秀和， 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会＠福岡国際会議場，6a-C24-9（2017/09/06）&br;
+電圧印加状態でのパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール評価のための一検討，
中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和，平成29年電気学会 産業応用部門大会＠函館アリーナ，Y-68 (2017/08/29).&br;
+ナノスケール観測装置における制御用電子回路の作製及び実機評価，
中島瑞貴，潤間威史，佐藤宣夫，
平成29年電気学会全国大会@富山大学 (2017/03/17) [[3-019:http://www.gakkai-web.net/gakkai/iee/program/2017/data/html/general/general4.html#S102-C2]] &br;

〔共同研究者分〕&br;
+AFM/KFM/SCFMによるSiパワーMOSFET断面構造のナノスケール観測，土井敦史，中島瑞貴，増田翔，佐藤宣夫，山本秀和，平成31年電気学会全国大会@北海道科学大学(2019/03/12) &br;
+多機能走査型プローブ顕微鏡によるトレンチSiC-MOSFETの評価， 内田悠貴，土井敦史，中島瑞貴，山本秀和，佐藤宣夫， 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会＠名古屋国際会議場，20a-PA6-6（2018/09/20）&br;
+多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiC-ショットキーバリアダイオードの評価 2， 内田悠貴，中島瑞貴，山本秀和，佐藤宣夫， 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会＠名古屋国際会議場，19a-131-6（2018/09/19）&br;
+走査型プローブ顕微鏡による Si パワー半導体デバイス断面構造のナノスケール観測，
土井敦史，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和，平成30年電気学会 産業応用部門大会＠横浜国立大学，Y-55 (2018/08/28).&br;
+多機能走査型プローブ顕微鏡による SiC-ショットキーバリアダイオードの評価， 内田悠貴，五十嵐貴紀，國米凱，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和， 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会＠早稲田大学，18p-D103-18（2018/03/18）&br;
+多機能走査型プローブ顕微鏡による SiC-MOSFETの評価， 内田悠貴，中島瑞貴，山本秀和，佐藤宣夫， 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会＠福岡国際会議場，7p-PB6-8（2017/09/07）&br;

【その他発表】&br;
+走査型プローブ顕微鏡による SiC パワー MOSFET の構造観察とその解析，
中島瑞貴，土井敦史，内田悠貴，小嶋正宏，佐藤宣夫，小田昭紀，山本秀和，第7 回 TIA パワーエレクトロニクス・サマースクール (2017/08/24).&br;
+中島瑞貴，佐藤宣夫：「ナノスケール観測装置における制御用電子回路の作製及び実機評価」，ローカルPE道場(@千葉工業大学) P2-08，2016/12/23&br;

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