略歴

研究関係

【研究内容】

  1. 多機能走査型プローブ顕微鏡を用いたパワー半導体デバイスの動作環境化における観測
  2. 共焦点レーザ顕微鏡の開発

【学会発表】
〔第一著者分〕

  1. FM-AFM/KFM/SCFMによるSiC製プレーナ型パワーMOSFETのナノスケール観測
    増田 匠 ,土井 敦史,山本 秀和,佐藤 宣夫, 令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, YPC, Y-21, (2022/08/30).
  2. FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製パワーMOSFETのナノスケール観測
    増田 匠 ,土井 敦史,佐藤 宣夫,山本 秀和, 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-002, (2022/03/23).

〔共同研究者分〕

  1. 観測データを用いたSiCプレーナ型MOSFETの数値計算モデルの検討
    松井五月,増田 匠,土井敦史,山本秀和,佐藤宣夫,令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, YPC, Y-12, (2022/08/30)
  2. Observation of SiC Planar Type MOSFETs Using the Scanning Probe Microscope Under the Operating State,
    A. Doi, S. Matsui, T. Masuda, H. Yamamoto, and N. Satoh, International Power Electronics Conference 2022 Student Poster Competition(IPEC2022), [17-2P17] (2022/5/17).
  3. 走査型容量原子間力顕微鏡法によるβ-Ga2O3のドーパント濃度評価
    ノベルクリスタルテクノロジー1,千葉工大2
    内田 悠貴1, 加藤 圭一郎2, 増田 匠2, 佐々木 公平1, 佐藤 宣夫2, 山本 秀和2, 第69回応用物理学会春季学術講演会, E202会場, (2022/03/26)
  4. 走査型プローブ顕微鏡を用いたパワーデバイス内部構造の比較および内部状態変化の観測
    土井敦史,松井五月,増田匠,佐藤宣夫,山本秀和, 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-001, (2022/03/23).
  5. 実測データを用いたパワー半導体デバイスの数値計算モデルの検討
    松井五月,増田 匠,土井敦史,佐藤宣夫,山本秀和, 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-003, (2022/03/23)

【学位論文】

  1. 学士論文 増田 匠:「FM-AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスのナノスケール観測」(2021/12/22)

2024年度

【修士2年後期(1月~3月)】

01 (09:00-)
02 (10:00-)
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Last-modified: 10-01-2024 (水) 15:43:44