小村 裕作

略歴 †

・名前：コムラ ユウサク

・生年月日：1992年 5月24日

・出身地：千葉県市原市

・趣味：テニス スノボ MUSIC(歌う,聴く)

・好きな女性芸能人：青山ひかるさん　岸井ゆきのさん

・備考：

・研究について：
　⇒　power-MOSFET の物理モデル構築に関する検討
　⇒　SiC power-MOSFETにおけるデバイス劣化の観測・評価
　⇒　SiC power-MOSFETにおける温度特性評価
(Sub)自立飛行型移動媒体における電力パケット技術の応用

経歴 †

・2011年(平成23年)3月 千葉県立市原八幡高等学校　卒業
・2011年(平成23年)4月 千葉工業大学　電気電子情報工学科　入学
・2015年(平成27年)3月 千葉工業大学　電気電子情報工学科　卒業
・2015年(平成27年)4月 千葉工業大学大学院　電気電子情報工学専攻　修士課程　入学
・2017年(平成29年)3月 千葉工業大学大学院　電気電子情報工学専攻　修士課程　修了
・2017年(平成29年)4月 日鉄住金テックスエンジ株式会社 電計システム部門　入社

研究関連 †

【学会発表】
〔本人登壇分〕
(1)小村裕作，佐藤宣夫：「数値解析に向けたpower-MOSFETのモデル構築の検討」，平成27年電気学会 産業応用部門大会(＠大分大学)　Y-69　(2015-09)
(2)小村裕作，佐藤宣夫，舟木剛：「SiC power-MOSFETにおける物理モデル構築への一検討～高温環境下での連続ゲートバイアスによるデバイス劣化～」, 平成28年電気学会 全国大会(＠東北大学) 4-015 (2016-03)
(3)小村裕作，佐藤宣夫，舟木剛：「SiC power-MOSFETにおける温度特性評価の一検討」，平成28年電気学会 産業応用部門大会(＠群馬大学)　Y-67　(2016-09)

【学位論文】
・学士論文　小村裕作：「数値解析に向けたpower-MOSFETのモデル構築」(2015)
・修士論文　小村裕作：「SiC power-MOSFETにおける高温動作特性に関する検討」(2017)

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