略歴 †

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  1. AFM/KFM/SCFMによるパワーデバイスの動作解析
  2. GaN薄膜の観測
  3. デバイス評価用のSEM内で動作可能なAFMの開発
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経歴 †

・2011年(平成23年)3月 千葉県立幕張総合高等学校　卒業
・2011年(平成23年)4月 千葉工業大学　電気電子情報工学科　入学
・2015年(平成27年)3月 千葉工業大学　電気電子情報工学科　卒業
・2015年(平成27年)4月 千葉工業大学大学院　電気電子情報工学専攻　修士課程　入学
・2017年(平成29年)3月 千葉工業大学大学院　電気電子情報工学専攻　修士課程　修了
・2017年(平成29年)4月 静岡大学　自然科学系教育部　光・ナノ物質機能専攻　博士課程　入学
　　旧研究室: 静岡大学　岩田・中澤研究室[https://wwp.shizuoka.ac.jp/nanomechatronics/]
・2020年(令和2年)3月 静岡大学　自然科学系教育部　光・ナノ物質機能専攻　博士課程　卒業
　　博士論文題目「走査型プローブ顕微鏡による電力用半導体デバイス評価法の開発」[http://doi.org/10.14945/00027495]
・2020年(令和2年)4月 株式会社日立ハイテクサイエンス　入社
・2021年(令和3年)4月 株式会社日立ハイテク　出向

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研究関連 †

【投稿論文】
〔第1著者分〕

  1. Development of scanning capacitance force microscopy using the dissipative force modulation method
    T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata : Meas. Sci. Technol., Vol. 31, 035904(2020) [https://doi.org/10.1088/1361-6501/ab5373]
  2. Development of atomic force microscopy combined with scanning electron microscopy for investigating electronic devices
    T. Uruma, C. Tsunemitsu, K. Terao, K. Nakazawa, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata : AIP Advances, Vol. 9, 115011(2019) [ https://doi.org/10.1063/1.5125163]
  3. Investigation of an n- layer in a silicon fast recovery diode under applied bias voltages using Kelvin probe force microscopy
    T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata : Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 57, 08NB11(2018) [https://doi.org/10.7567/JJAP.57.08NB11]
  4. Observation of silicon carbide Schottky barrier diode under applied reverse bias using atomic force microscopy/Kelvin probe force microscopy /scanning capacitance force microscopy
    T. Uruma, N. Satoh, and H. Yamamoto : Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, 08LB05(2017) [http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.56.08LB05]
  5. Investigation of the depletion layer by scanning capacitance force microscopy with Kelvin probe force microscopy
    T. Uruma, N. Satoh, and H. Yamamoto : Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 08NB10(2016) [http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.55.08NB10]
  6. Surface Potential and Topography Measurements of Gallium Nitride on Sapphire by Scanning Probe Microscopy
    T. Uruma, N. Satoh, and H. Ishikawa : IEEJ Trans. on Sens. and Micro., Vol. 136 (2016) 96-101 [in Japanese] [http://doi.org/10.1541/ieejsmas.136.96]

〔共著者分〕

  1. Imaging of an electret film fabricated on a micro-machined energy harvester by a Kelvin probe force microscope
    K. Nakazawa, K. Fukazawa, T. Uruma, G. Hashiguchi, and F. Iwata : IEEE Trans. Instrum. Meas., Vol. 71, 4501907 (2022) [https://doi.org/10.1109/TIM.2022.3151173]
  2. Nanoscale observation of active layer in hybrid solar cells with ZnO nanoparticles in PCBM/P3HT using frequency modulation atomic force microscopy and Kelvin probe force microscopy
    S. Mochizuki, T. Uruma, N. Satoh, S. Saravanan, and T. Soga : Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, 08LB08(2017) [http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.56.08LB08]
  3. Evaluation of Carrier Concentration Reduction in GaN-on- GaN Wafers by Raman Spectroscopy and Kelvin Force Microscopy
    H. Yamamoto, K. Agui, Y. Uchida, S. Mochizuki, T. Uruma, N. Satoh and T. Hashizume : Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, 08LB07(2017) [http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.56.08LB07]
  4. Non-Resonant Frequency Components Observed in a Dynamic Atomic Force Microscope
    H. Nagao, T. Uruma, K. Shimizu, N. Satoh and K. Suizu : Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE, vol. 8, no. 2, pp. 118-128

【国際学会発表】
〔本人登壇分〕

  1. Development of an atomic force microscope combined with a scanning electron microscope for investigation of electronic properties of an actual semiconductor device,
    T. Uruma, C. Tunemitu, K. Terao, N. Satoh, H. Yamamoto, K. Nakazawa, and F. Iwata, 27th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM27), S4-43, (2019/12/5)
  2. Development of an atomic force microscope combined with a scanning electron microscope for investigation of electronic properties of an actual semiconductor device,
    T. Uruma, K. Terao, N. Satoh, H. Yamamoto, K. Nakazawa, and F. Iwata, The 8th International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology (ASPEN 2019), E-34, (2019/11/14)
  3. Development of Scanning Capacitance Force Microscopy using the Dissipative Force Modulation Method,
    T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures & 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, 22P042 (2018/10/22)
  4. Imaging of an n- layer of an Si fast recovery diode using Kelvin probe force microscopy,
    T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata, International Scanning Probe Microscopy 2018 (ISPM2018), (2018/5/11)
  5. Surface potential measurement of silicon fast recovery diode under applied bias voltage using FM-AFM/KFM,
    T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata, 25th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM25), S4-64 (2017/12/7)
  6. Observation of the Silicon Carbide Schottky Barrier Diode under Applied Bias Voltage using FM-AFM/KFM/SCFM,
    T. Uruma, N. Satoh, and H. Yamamoto, 24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24), S4-10 (2016/12/14)
  7. Investigation on the Surface Potential and the Depletion Layer of Silicon-Schottky Barrier Diode -Evaluation by Scanning Probe Microscopy -,
    T. Uruma, N. Satoh, K. Komori, A. Oda and H. Yamamoto, The 19th International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS2016), (2016/11/13-16)
  8. Observation of the Schottky barrier diode under applied bias voltage with Kelvin probe force microscopy,
    T. Uruma, and N. Satoh, 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23), S4-12 (2015/12/10)

〔共同研究者分〕

  1. Development of Kelvin probe force microscope capable of measuring high voltage potential of charge distribution of a MEMS comb electrode,
    K. Fukazawa, T. Uruma, K. Nakazawa, G. Hashiguchi, and F. Iwata, 27th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM27), S4-5 (2019/12/5)
  2. Evaluation of Carrier Concentration Reduction in GaN on GaN Wafers by Raman Spectroscopy and Kelvin Force Microscopy,
    H. Yamamoto, K. Agui, Y. Uchida, S. Mochizuki, T. Uruma, N. Satoh and T. Hashizume, 24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24), S4-11 (2016/12/14)
  3. Investigation on the Surface Potential and the Depletion Layer of Silicon-Schottky Barrier Diode -Evaluation by Numerical Calculation -,
    K. Komori, A. Oda, T. Uruma, N. Satoh and H. Yamamoto, The 19th International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS2016), (2016/11/13-16)
  4. Surface Potential Measurement ofα-NPD Thin Film Fabricated by Mist-Vapor Deposition and Vacuum Evaporation Methods,
    S. Katori, A. Odaka, T. Uruma, N. Satoh, Eighth International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE8), B-P06 (2015/06/22)
  5. Mechanical Behavior of a Cantilever Probe Influenced by Sample Surface,
    K. Shimizu, H. Nagao, T. Uruma, N. Satoh, K. Suizu, 2014 IEEE Workshop on Nonlinear Circuit Networks, 13PM2-1 (2014/12/13)
  6. Surface Potential Measurement of p-type Organic Semiconductor Thin Films by Mist-vapor Deposition,
    N. Satoh, T. Uruma, A. Odaka and S. Katori, Korea Japan Joint International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics (KJF-ICOMEP2014) PB075 (2014/09/23)

【国内学会発表】
〔本人登壇分〕

  1. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，中澤謙太，岩田太: 「電子デバイス評価に向け た電子顕微鏡複合化原子間力顕微鏡の開発」，第80回応用物理学会秋季学術講 演会(＠北海道大学) 18p-C310-13 (2019-09)
  2. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，中澤謙太，岩田太:「電子デバイス評価のため の電子顕微鏡複合化原子間力顕微鏡システムの開発」，2019年精密工学会秋季大会(＠静岡大学) I66 (2019-09)
  3. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，岩田太: 「散逸力変調方式走査型容量原子間力顕微鏡によるキャリア密度分布計測」，平成30年応用物理学会秋季学術講演会(＠名古屋国際会議場) 18a-143-8 (2018-09)
  4. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，岩田太:「散逸力変調方式を用いた高感度な走査型容量原子間力顕微鏡の開発」，2018年精密工学会秋季大会(＠函館アリーナ) H04-02 (2018-09)
  5. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，岩田太:「散逸力変調方式による走査型容量原子間力顕微鏡の開発」，平成30年電気学会 産業応用部門大会(＠横浜国立大学)　Y-89　(2018-08)
  6. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，岩田太: 「ケルビンプローブ力顕微鏡による Siファストリカバリーダイオードのn-層観測」，平成30年応用物理学会春季学術講演会(＠早稲田大学) 18a-F210-4 (2018-03)
  7. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，岩田太: 「走査型プローブ顕微鏡による Si製ファストリカバリダイオードの表面電位観測」，平成30年電気学会全国大会(＠九州大学) 4-001 (2018-03)
  8. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和，岩田太: 「FM-AFM/KFMによるSiファストリカバリダイオードのドリフト層測定」，第17回日本表面科学学会中部支部　学術講演会(＠名古屋大学) 9 (2017-12)
  9. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和：「走査型プローブ顕微鏡による炭化ケイ素製ショットキーバリアダイオードの局所物性観測」，平成29年電気学会 全国大会(＠富山大学)　4-010　(2017-03)
  10. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和：「走査型容量原子間力顕微鏡による空乏層の可視化」，平成28年電気学会 全国大会(＠東北大学) 4-032 (2016-03)
  11. 潤間威史，佐藤宣夫，石川博康：「サファイア基板上窒化ガリウム層の表面形状及び表面電位観測」，平成27年電気学会 産業応用部門大会(＠大分大学)　Y-68　(2015-09)
  12. 潤間威史，佐藤宣夫，石川博康：「走査型プローブ顕微鏡によるSapphire基板上GaNの観測」，平成27年電気学会 全国大会(＠東京都市大学) 2-098 (2015-03)

〔共同研究者分〕

  1. 高電圧表面電位が測定可能なケルビンプローブフォース顕微鏡の開発とMEMS 櫛歯電極の帯電分布測定，深澤賢悟，潤間威史，中澤謙太，橋口源，岩田太，2019年精密工学会秋季大会(＠静岡大学) I37 (2019-09)
  2. ナノスケール観測装置における制御用電子回路の作製及び実機評価， 中島瑞貴，潤間威史，佐藤宣夫， 平成29年電気学会 全国大会(＠富山大学) 3-019 (2017-03)
  3. FM-AFM/KFMによるZnOナノ粒子内包有機バルクヘテロ接合型活性層のナノスケール観測， 望月翔太，潤間威史，佐藤宣夫，S. Saravanan，曽我哲夫， 平成29年電気学会 全国大会(＠富山大学) 2-084 (2017-03)
  4. パワーデバイス内部の空乏層の評価（2）数値計算との比較 パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅩ）， 山本秀和，小森郷平，小田昭紀，潤間威史，佐藤宣夫， 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016/09/15) 15p-A23-4
  5. パワーデバイス内部の空乏層の評価（1）多機能走査型プローブ顕微鏡による評価 パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅨ）， 山本秀和，潤間威史，佐藤宣夫，小森郷平，小田昭紀， 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会 (2016/09/15) 15p-A23-3
  6. マイクロプローブ振動モデルにみられる周期解の共存，長尾北斗，清水邦康，潤間威史，佐藤宣夫，水津光司，2016年 電子情報通信学会NOLTAソサイエティ大会（2016年06月）NLS2016-030
  7. マイクロカンチレバーの非線形振動モデルにみられる概周期振動, 長尾北斗，清水邦康，潤間威史，佐藤宣夫，水津光司， 2015年 電子情報通信学会総合大会（2015年03月）A-2-11

【その他発表】

  1. T. Uruma, K. Nakazawa, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata: 「Development of an atomic force microscope combined with a scanning electron microscope for investigation of electronic devices」，The 4th international symposium on \Elucidation of Property of Next Generation Functional Materials and Surface/Interface"(＠Osaka Univ.)，2019/12/10
  2. T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata: 「Surface Potential Measurement of a Silicon Fast Recovery Diode under Applied Bias Voltages by Kelvin Probe Force Microscopy」，29th 2018 International Symposium on Micro-Nano Mechatronics and Human Science(＠Nagoya Univ.)，2018/12/9
  3. T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata: 「Observation of a power device by scanning capacitance force microscopy using a dissipative force modulation method」，20th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium(＠Shizuoka Univ.)，2018/11/28
  4. T. Uruma, N. Satoh, H. Yamamoto, and F. Iwata: 「Observation of Silicon and Silicon Carbide Schottky Barrier Diode UsingScanning Probe Microscopy」，19th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium(＠Shizuoka Univ.) pp.96-99，2017/11/21
  5. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和：「Investigation of the Silicon Carbide Schottky Barrier Diode under Applied Reverse Bias Voltage using AFM/KFM/SCFM」，ローカルPE道場(@千葉工業大学) P1-11，2016/12/23
  6. 潤間威史，佐藤宣夫，山本秀和：「パワーデバイスにおける空乏層の可視化」，ローカルPE道場(@千葉工業大学) 第1部-No. 2，2016/02/29
  7. 潤間威史，佐藤宣夫：「多機能走査プローブ顕微鏡の開発とその応用」，私立大学戦略的研究基板形成支援事業シンポジウム[複合的プローブ技術](＠千葉工業大学) No. 2，2015/08/06
  8. 潤間威史，佐藤宣夫，石川博康：「サファイア基板上窒化ガリウム層の表面形状及び表面電位観測」，私立大学戦略的研究基板形成支援事業シンポジウム[複合的プローブ技術](＠千葉工業大学) P-04，2015/08/06

【受賞歴】

  1. The 19th International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS2016)
    Electrical Science and Engineering Promotion Student Paper Award, (2016/11/15)
    「Investigation on the Surface Potential and the Depletion Layer of Silicon-Schottky Barrier Diode -Evaluation by Scanning Probe Microscopy -」
  2. 平成30年　電気学会　産業応用部門大会
    YPC優秀発表賞, (218/08/29) 「散逸力変調方式による走査型容量原子間力顕微鏡の開発」
  3. 2019 年度精密工学会秋季大会学術講演会
    ベストプレゼンテーション賞， (2019/09/06) 「電子デバイス評価のための電子顕微鏡複合化原子間力顕微鏡 システムの開発」

【外部資金】
日本学術振興会　特別研究員奨励費　課題番号: 18J10822 (2018/04/01- 2020/03/31) 研究課題名「駆動状態での実デバイス動作面の電子物性を評価可 能なプローブ顕微鏡システムの開発」

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Last-modified: 03-04-2022 (日) 13:49:31