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*** 略歴 [#xc0662d1]

-氏名　増田 匠（Masuda Takumi）

-生年月日　1997年4月7日&br;

-出生地 埼玉県川口市&br;

-趣味　筋トレ、散歩、ストレッチ&br;

-特技　柔道&br;

-通学時間　1.2時間&br;

-好きな有名人　木村政彦

***研究関係 [#w5916120]
【研究内容】&br;
+多機能走査型プローブ顕微鏡を用いたパワー半導体デバイスの動作環境化における観測&br;
+共焦点レーザ顕微鏡の開発


【学会発表】&br;
〔第一著者分〕&br;

+FM-AFM/KFM/SCFMによるSiC製プレーナ型パワーMOSFETのナノスケール観測&br;
増田 匠 ，土井 敦史，山本 秀和，佐藤 宣夫， 令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, YPC, Y-21, (2022/08/30).&br;
+FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製パワーMOSFETのナノスケール観測&br;
増田 匠 ，土井 敦史，佐藤 宣夫，山本 秀和， 令和4年電気学会全国大会＠オンライン, 4-002, (2022/03/23).&br;


〔共同研究者分〕&br;

+観測データを用いたSiCプレーナ型MOSFETの数値計算モデルの検討&br;
松井五月，増田 匠，土井敦史，山本秀和，佐藤宣夫，令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, YPC, Y-12, (2022/08/30)
+Observation of SiC Planar Type MOSFETs Using the Scanning Probe Microscope Under the Operating State,&br; 
A. Doi, S. Matsui, T. Masuda, H. Yamamoto, and N. Satoh, International Power Electronics Conference 2022 Student Poster Competition(IPEC2022), [17-2P17] (2022/5/17).
+走査型容量原子間力顕微鏡法によるβ-Ga2O3のドーパント濃度評価&br;
ノベルクリスタルテクノロジー1，千葉工大2&br;
内田 悠貴1, 加藤 圭一郎2, 増田 匠2, 佐々木 公平1, 佐藤 宣夫2, 山本 秀和2, 第69回応用物理学会春季学術講演会, E202会場, (2022/03/26)
+走査型プローブ顕微鏡を用いたパワーデバイス内部構造の比較および内部状態変化の観測&br;
土井敦史，松井五月，増田匠，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-001, (2022/03/23).
+実測データを用いたパワー半導体デバイスの数値計算モデルの検討&br;
松井五月，増田 匠，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-003, (2022/03/23)

【学位論文】&br;
+学士論文　増田　匠：「FM-AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスのナノスケール観測」(2021/12/22)


***2023年度 [#gf59001f]
***2024年度 [#gf59001f]

【修士2年後期（9月～3月）】
【修士2年後期（1月～3月）】
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| |月|火|水|木|金|h
|01 (09:00-)| | | | | |
|02 (10:00-)| | | | | |
|03 (11:00-)| | | | | |
|04 (12:00-)| | | | | |
|05 (13:00-)| | | | | |
|06 (14:00-)| | | | | |
|07 (15:00-)| | | | | |
|08 (16:00-)| | | | | |
|09 (17:00-)| | | | | |
|10 (18:00-)| | | | | |